Полупроводникови материали и структури за наноелектрониката

Към края на миналия век микроелектрониката достигна максималните си възможности по отношение на производителност, интеграция, разсейване на мощността и скоростта за обработка и предаване на информация. Основните материали в сферата на микроелектрониката и свързаната с нея оптоелектроника включваха силиций, германий и бинарни полупроводникови съединения (като АЗВ5, А2В6 и А4В6), за които бяха разработени специализирани технологии. Техните електрофизични характеристики бяха установени предварително и определяха качествата на устройствата, изработвани от тях. Въпреки това, чрез взаимната разтворимост между полупроводниците от четвърта група както и между различните бинарни съединения бяха получени твърди разтвори с електрофизични параметри, които варират според състава им. Именно тези нови материали станаха основа за наноелектрониката и позволиха развитието на нови класове устройства със забележителни свойства.

Настоящият труд разглежда характеристиките на полупроводниковите твърди разтвори, основните технологични методи за тяхното производство и демонстрира нови полупроводникови прибори, невъзможни да бъдат реализирани с традиционните микроматериали. Книжният материал съдържа оригинални технологични и физически изследвания проведени от автора и неговите колеги, които са иновационен принос в страната ни и се осъществяват паралелно с водещи научно-изследователски екипи в чужбина.